行业资讯

美光科技最新新10纳米DRAM已量产,主攻移动设备市场

2018-11-13
智慧型手机和平板电脑这样的移动设备,现在通常都会配备足够的存储器(RAM)来与电脑桌机匹敌,但容量(多少GB)并不是衡量性能的唯一标准。移动数据速率随着5G连接而急剧上升,网络可能启用的应用程式应对设备的内存子系统提出越来越高的要求,而如今的映像子系统和AI工作负载...

韩国SK Hynix成功研发96层4D NAND闪存,预计年内量产

2018-11-05
SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)NAND闪存半导体。11月4日,SK海力士公司宣布,“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来,在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D NAND闪存半导体,计划在今年年内进行第一批量产”。96层NAND闪...

Cypress将与SK海力士子公司成立合资企业,共同经营NAND业务

2018-10-29
合资企业的成立,旨在加强Cypress在汽车、工业及物联网市场中对于连接、计算和存储解决方案的聚焦,同时能更好地为NAND客户提供持续支持。作为全球嵌入式解决方案领导者,Cypress半导体公司近日宣布已与SK海力士旗下子公司SK Hynix System IC成立合资公司。在合作的...

日本东芝与西数合资新晶圆厂已量产新一代96层3D NAND Flash

2018-09-20
日本存储器大厂东芝存储器(Toshiba Memory Corporation)与西数(Western Digital)于19日宣布,共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂(Fab 6)举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区,并设有存储器研发中心(Memory R&D Center)。东芝存储器是自2017年2月开始兴建...

存储厂商旺宏优化产品组合:NOR占53%、ROM 25%、NAND 15%

2018-06-07
存储器厂商旺宏上半年为传统淡季,下半年随着任天堂Switch对ROM需求加温,加上单位售价较高的SLC NAND Flash营收比重提高,毛利率可望提升至45至50%,带动今年营收出现双位数成长。外资瑞信证券指出,旺宏今年将维持原先产能,但将优化产品组合,NOR占比53%、ROM...

我国三大存储器阵营预计于下半年试产,2019年将为生产元年

2018-04-20
中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫,以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看,其试产时间预计将在2018年下半年,随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年,揭示着2019年将成为中国存储器生...

闪存存储技术有望带来太赫兹频率光子芯片

2018-03-28
据美国《每日科学》网站25日报道,以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术,有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实,运算频率达太赫兹量级,从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。首都北京大学现代光学所陈建军研究员对科...

2017年第四季NAND Flash厂商营收成长仅6.8%,今年第一季继续受淡季因素影响

2018-02-28
2017年第四季各供货商持续进行3D-NAND的扩产及良率提升,然需求面仅靠智能手机旺季需求动能延续,因此,2017年第四季合约价仅eMMC/UFS上涨0-5%,其他部分如服务器/数据中心、PC及平板等需求力道减缓,合约价呈现持平,甚至出现小跌走势,整体NAND Flash市场趋于...

紫光国芯表示现阶段DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

2018-01-23
紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍,DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。同时,关于公司在国内业界、排名情况,紫光国芯介绍,公司的DRAM...

韩国三星电子开发出全球最小DRAM内存芯片,速度可提升10%

2017-12-20
三星电子今天宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。另据路透社报道,三星开发的8Gb DDR4芯片是...
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